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为什么MOS管饱和区沟道夹断了还有电流?

为什么MOS管饱和区沟道夹断了还有电流?

MOS管就像开关。栅极(G)决定源极(S)到漏极(D)是通还是不通。以NMOS为例,图1中绿色代表(N型)富新萄京区域,黄色代表(P型)富空穴区域。P型和N型交界处会有一层耗尽层分隔(也叫空间...

2020-04-02 标签:电流MOS管漏极 34

电机额定功率计算公式

电机额定功率计算公式

公式是怎么推导来的,这些事情大家就不去钻研了,大家主要是看看怎么利用它。感应电动势是电磁感应的本质,有感应电动势的导体闭合后,就会产生感应电流。感应电流在磁场中就会受到安...

2020-04-02 标签:电机额定功率电机转矩 36

实现SiC器件与高速电机、电控系统的全方位优化、匹配

实现SiC器件与高速电机、电控系统的全方位优化、匹配

为了追求更高的转换效率和功率密度,在工业和新能源汽车等领域,系统设计师们逐步开始采用SiC器件替代传统的、基于硅(Si)工艺的IGBT器件。...

2020-03-30 标签:CISSOID电控系统sic器件高速电机 99

常见的MOS管封装有哪些

常见的MOS管封装有哪些

TO247是比较常用的小外形封装,表面贴封装型之一,247是封装标准的序号。...

2020-03-28 标签:封装MOS管 204

氮化镓助力快充小型化,KEMET聚合物钽电容大显身手!

氮化镓助力快充小型化,KEMET聚合物钽电容大显身手!

高功率快充在近几年成为了充电市场的当红炸子鸡。前段时间小米推出的新款氮化镓快速充电器更是引爆了快充小型化的潮流。...

2020-03-25 标签:钽电容氮化镓电解电容器KEMET 360

学子专区—ADALM2000:齐纳二极管稳压器

学子专区—ADALM2000:齐纳二极管稳压器

稳压器是一种让负载上的输出电压保持恒定而不随负载电流变化的电路。例如,负载可以是微控制器系统,这就要求电源电压保持恒定,即使其电流会随着系统活动的变化而变化。...

2020-03-23 标签:微控制器稳压器数据转换器齐纳二极管 655

Microchip扩展碳化硅(SiC)电源器件系列产品,助力在系统层面优化效率、尺寸和可靠性

Microchip扩展碳化硅(SiC)电源器件系列产品,助力在系统层面优化效率、尺寸和

基于SBD的700V、1200V和1700V电源模块可最大程度地提升开关效率、减少温升和缩小系统尺寸。...

2020-03-19 标签:microchip电源器件碳化硅 145

用于HZZH 98%高效功率模块的Transphorm GaN

用于HZZH 98%高效功率模块的Transphorm GaN

大家在寻找一种功率晶体管,帮助大家为客户开发一种更高效、更具成本效益的解决方案。大家曾考虑碳化硅器件,但在低电压条件下无法达到预期优势。...

2020-03-18 标签:功率模块GaN功率晶体管Transphorm 97

ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器

ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器

ROHM的SiC MOSFET被UAES企业的OBC产品采用,与以往的OBC相比,新OBC所在单元的效率提高了1%(效率高达95.7%,功率损耗比以往降低约20%)。...

2020-03-18 标签:电动汽车SiCRohm功率元器件车载充电器 229

TE Connectivity推出TV-8负载标准的OJT 10A系列功率继电器

TE Connectivity推出TV-8负载标准的OJT 10A系列功率继电器

全球连接与传感器领域领军企业TE Connectivity(TE)推出了新型TV-8负载标准、10A 额定电流的OJT系列继电器。...

2020-03-18 标签:功率继电器TE Connectivity 205

贸泽新萄京将备货GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1评估板

贸泽新萄京将备货GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1评估板

贸泽新萄京 (Mouser Electronics) 即日起开始备货GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1评估板。...

2020-03-16 标签:安森美半导体氮化镓栅极驱动器贸泽新萄京 198

如何判定二极管的性能好坏

如何判定二极管的性能好坏

先对电路板进行清洗,用酒精棉反复擦洗,然后用吹风机去潮,再对相关的电阻、电容、二极管一一脱开检查,除一只6A10型二极管异常外,其他元件均正常。...

2020-03-15 标签:二极管整流二极管 173

Power Integrations发布新款InnoSwitch?3系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC

Power Integrations发布新款InnoSwitch?3系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC

PowiGaN技术以优异的效率而著称 - 在任何输入电压和负载条件下效率均可高达94%,其极高的可靠性能够保证电源在市电电压不稳的地区使用时耐受输入浪涌和电压浮动的冲击。...

2020-03-15 标签:Power晶体管氮化镓 792

Vishay推出SOP-4微型扁平封装的新型汽车级光电晶体管耦合器

Vishay推出SOP-4微型扁平封装的新型汽车级光电晶体管耦合器

器件电流传输比(CTR)高,正向电流仅为1 mA,适用于汽车和高可靠性工业应用。...

2020-03-16 标签:Vishay耦合器光电晶体管红外发光二极管 167

Nexperia推出首款支撑USB4标准的ESD保护器件

Nexperia推出首款支撑USB4标准的ESD保护器件

 TrEOS二极管完全支撑USB4TM标准;具有低钳位、低电容、低泄露特性,极高的鲁棒性...

2020-03-11 标签:二极管ESDRF信号完整性Nexperia 241

东芝面向中大电流IGBT/MOSFET  推出内置保护功能的光耦

东芝面向中大电流IGBT/MOSFET 推出内置保护功能的光耦

新型预驱动光耦使用外部P沟道和N沟道互补的MOSFET作为缓冲器,来控制中大电流IGBT和MOSFET。...

2020-03-11 标签:MOSFET东芝IGBT光耦 180

【泰克电源设计与测试】致工程师系列之二:功率器件的标定及选择

采用双脉冲法,用信号发生器设置脉宽为1uS,周期为2.5uS,脉冲次数为2次,示波器采用单次触发。...

2020-03-10 标签:电源设计示波器功率器件泰克科技 472

意法半导体收购氮化镓创新企业Exagan的多数股权

意法半导体收购氮化镓创新企业Exagan的多数股权

此次收购将大幅提高意法半导体在汽车、工业和消费级高频大功率GaN的技术积累、扩大其开发计划和业务。...

2020-03-06 标签:意法半导体氮化镓碳化硅GaN器件 240

CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块

CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块

内置的栅极驱动器包括3个板载隔离电源(每相1个),可提供每相高达5W的功率,从而可以在高达125°C的环境温度下轻松驱动频率高达25KHz的功率模块。...

2020-03-05 标签:电动汽车MOSFETCISSOID功率模块碳化硅 384

性价比一流:英飞凌推出面向低频率应用的600 V CoolMOSTM S7超结MOSFET

性价比一流:英飞凌推出面向低频率应用的600 V CoolMOSTM S7超结MOSFET

英飞凌科技股份企业成功开发出满足最高效率和质量要求的解决方案。对于MOSFET低频率开关应用而言,新推出的600 V CoolMOS? S7系列产品可带来领先的功率密度和能效。...

2020-03-04 标签:英飞凌MOSFET整流器 478

Qorvo?推出业内最高性能的宽带GaN 功率放大器

Qorvo?推出业内最高性能的宽带GaN 功率放大器

移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商Qorvo?, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今日推出全球性能最高的宽带功率放大器 (PA)--- TGA2962。...

2020-03-03 标签:功率放大器GaNQorvo 294

Vishay最新推出节省空间的小型0402外形尺寸新型器件

Vishay最新推出节省空间的小型0402外形尺寸新型器件

Vishay宣布,推出节省空间的小型0402外形尺寸新型器件,扩充其TNPU e3系列汽车级高精度薄膜扁平片式电阻。...

2020-03-03 标签:电阻Vishay器件 249

碳化硅功率器件下一站关键点将在电动汽车领域

碳化硅功率器件下一站关键点将在电动汽车领域

到2023年,SiC功率半导体市场预计将达到15亿美金。...

2020-03-01 标签:功率器件SiC碳化硅 273

Nexperia与Ricardo合作开发基于GaN的EV逆变器设计

Nexperia与Ricardo合作开发基于GaN的EV逆变器设计

的汽车咨询企业在技术演示器中采用Nexperia已获AEC-Q101认证的GaN FET器件...

2020-02-25 标签:逆变器GaNNexperiaRicardo 183

英飞凌650V CoolSiC? MOSFET系列为更多应用带来最佳可靠性和性能水平

英飞凌650V CoolSiC? MOSFET系列为更多应用带来最佳可靠性和性能水平

随着新产品的发布,英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合...

2020-02-26 标签:MOSFET不间断电源碳化硅 351

安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57 m?产品

安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57 m?产品

安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57 m?产品,籍此扩展市场领先的低RDS(on) MO,同时优化了安全工作区、漏极电流和栅极电荷。...

2020-02-26 标签:MOSFET器件RDS安世半导体 221

英飞凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOS?源极底置25 V功率MOSFET

英飞凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOS?源极底置25 V功率MOSFET

英飞凌科技股份企业(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战,来实现系统创新和组件水平的改进。源极底置是符合行业标准的全新封装概念。英飞凌已推出第一批...

2020-02-18 标签:英飞凌MOSFET 434

CISSOID强劲可靠的栅极驱动器为Wolfspeed的快速开关碳化硅(SiC)功率模块提供支撑

CISSOID强劲可靠的栅极驱动器为Wolfspeed的快速开关碳化硅(SiC)功率模块提供支

CMT-TIT0697栅极驱动器板被设计为可直接安装在CAB450M12XM3 1200V/450A碳化硅MOSFET功率模块上。凭借可提供每通道高达2.5W功率的板载隔离电源(且无需降低高达125°C的额定环境温度),该栅极驱动器可...

2020-01-15 标签:CISSOID栅极驱动器碳化硅 420

定向耦合器的主要性能指标_定向耦合器选型

定向耦合器的主要性能指标_定向耦合器选型

本文主要阐述了定向耦合器的主要性能指标及作用。...

2020-01-06 标签:耦合器定向耦合器 236

定向耦合器的工作原理_定向耦合器的应用

定向耦合器的工作原理_定向耦合器的应用

本文主要阐述了定向耦合器的工作原理及应用。...

2020-01-06 标签:耦合器定向耦合器 468

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