澳门新萄京赌场-新萄京网址34567

侵权投诉

中国半导体存储器开始生产 NAND之后DRAM大规模生产计划揭晓

渔翁先生 ? 来源:新萄京发烧友网 ? 编辑:Allen Yin ? 2019-11-14 11:07 ? 次阅读

中美贸易争端下的中国半导体趋势成为一个热门话题。随着福建晋华,HUAWEI等事件的发生,我国开始更加坚定发展自己的半导体产业,DRAM制造商合肥长鑫,福建晋华,紫光集团旗下长江存储,江波龙已经开始自行设计生产DRAM。

JHICC在美国禁运下自行开始准备生产DRAM

去年11月,美国司法部对联电和福建晋华(JHICC)的员工进行了起诉。在此之前,10月29日,又以国家安全为由,美国商务部将JHICC列入了出口限制清单,并禁止美国企业与JHICC企业打交道。这使得美国设备制造商(如Applied Materials,Lam Research,KLA等)无法正常为JHICC提供生产设备,导致后者最后被迫停止运营。

但是,JHICC似乎最近已经开始准备复兴。在韩国,它招募了为SAMSUNG和SK海力士工作的DRAM工程师,在中国和中国台湾地区,它招募了从电路设计到设备维护的数十人。

由于美国的制造设备提供商无法提供现场工程支撑,JHICC将尽力招募尽可能多的工程人员来优化生产线设备设置和参数设置。可以猜测的是,他们的目标是使已进入休眠状态的DRAM生产线复苏。据台湾市场趋势研究企业TrendForce称,JHICC将于明年年底开始生产,但最初的生产规模预计不到每月10,000个。

在突然到来的日韩出口争端中,韩国半导体企业受到日本相关材料禁运的影响,有传言称韩国的半导体存储产品线将会受到冲击。该事件似乎对中国的DRAM制造商来说是个利好信息。

DDR4 DRAM经过两轮终于开始生产

另一家DRAM制造商,合肥市长鑫存储技术有限企业(CXMT)已开始小规模生产DDR4 8G位DRAM,并准备批量生产用于智能手机的LPDDR4 DRAM。据说到2021年以后,月产量将达到100,000或更多。

尽管该企业担心被美国困住,但并未采用台湾华亚(现在的美光内存台湾)开发的技术,更改了技术引进政策,并更换了管理团队。该企业最终收购了奇梦达的46nm堆栈结构DRAM(已开发但尚未发布)。

公开资料显示,CXMT与兆易创新达成了合作协议,共同开发19nm工艺的DRAM内存,去年底已经推出了8Gb DDR4内存样品,今年Q3季度推出8Gb LPDDR4内存样品,年底正式量产,月产能将达到2万片晶圆。

长江存储将于年底启动DRAM大规模生产工厂建设

紫光集团旗下长江存储YMTC一直在开发和制造DRAM,除了今年年底开始量产的3D NAND业务外,该企业已经开始行动,重新进入DRAM业务。6月30日,成立了一个新的DRAM事业部,台湾原DRAM制造商Inotera Memories(现为美光技术台湾企业)的首席实行官Charles Kao担任了CEO。8月27日,DRAM事业部的总部在重庆两江新区成立,并与重庆市人民政府合作设立了DRAM研发中心和DRAM批量生产工厂。

据了解,紫光重庆DRAM存储芯片制造工厂主要专注于12英寸DRAM存储芯片的制造,该工厂计划于2019年底开工建设,预计2021年建成投产。在芯片工厂建成前,紫光集团先期在现有芯片工厂内设立产品中试生产线,进行产品生产工艺技术研发,待工艺成熟后在紫光重庆芯片工厂量产。

江波龙(FORESEE)微存储新品DDR3L正式量产!

11月13日,江波龙新萄京(FORESEE)宣布面向智能新萄京终端设备应用的微型嵌入式DRAM存储新品DDR3L开始投产,读写速率满足主流应用1866Mbps需求,最高可达2133Mbps。同时DDR4产品已开始纳入研发进程。

据悉,目前FORESEE微存储DDR3L产品已在海思、中兴微、瑞芯微、全志、Amlogic、国科微、国芯等平台主控端完善认证,为不同应用场景提供芯片级支撑。

预计2020年国产DRAM全球占比不到3%

在中国,韩国SK Hynix正在无锡开始大规模生产DRAM,但明年国产DRAM产品的生产仍然非常有限。根据TrendForce的最新预测,中国存储器制造商在2020年的DRAM产量仅不到全球产业投入的3%。

但有必要强调一点,继NAND之后,DRAM大规模生产计划的轮廓变得清晰起来,中国很可能最终将成为存储大国。但是,可能需要花更多时间确定国产存储器制造商何时会对DRAM市场的全球供需平衡产生显着影响。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

操作系统内存的详细资料讲解分析

主存(RAM) 是一件非常重要的资源,必须要认真对待内存。虽然目前大多数内存的增长速度要比 IBM ....
的头像 Wildesbeast 发表于 04-06 09:48 ? 133次 阅读
操作系统内存的详细资料讲解分析

存储器的构造,存储器的选片及总线的概念

存储器就是用来存放数据的地方。它是利用电平的高低来存放数据的,也就是说,它存放的实际上是电平的高、低....
发表于 04-06 09:42 ? 39次 阅读
存储器的构造,存储器的选片及总线的概念

计算机外围设备的分类,都有哪些设备

计算机外围设备的结构,功能,工作原理,有很大的差别,通常机械的,新萄京的,电磁的,激光的等各种设备。若....
的头像 独爱72H 发表于 04-03 16:24 ? 189次 阅读
计算机外围设备的分类,都有哪些设备

SAMSUNG成首家在DRAM生产采用EUV技术的存储器供应商

韩国SAMSUNG新萄京于25已经成功出货100万个极紫外光刻技术(EUV)生产的业界首款10纳米级DDR4 D....
发表于 04-03 15:47 ? 143次 阅读
SAMSUNG成首家在DRAM生产采用EUV技术的存储器供应商

PIC16F1827线性数据存储器寻址

您好,我不确定我理解线性数据存储器。数据表中的第113页第3.5.2节说有0x2000到0x29AF可用(2479字节),但是它说“未实现的内...
发表于 04-03 10:36 ? 22次 阅读
PIC16F1827线性数据存储器寻址

STM32F103x8和STM32F103xB的数据手册免费下载

STM32F103xx中密度性能线系列采用了高性能ARM?Cortex?-M3 32位RISC内核,....
发表于 04-03 08:00 ? 25次 阅读
STM32F103x8和STM32F103xB的数据手册免费下载

物联网安全的防御条款是怎样的

基于指令的存储器访问控制:一种将堆栈的数据部分与返回地址部分分开的技术。
发表于 04-02 17:09 ? 68次 阅读
物联网安全的防御条款是怎样的

美光即将量产第四代3D NAND存储器 层数达到128层

美光在二季度财报电话会议上透露,该企业即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器的....
发表于 04-02 11:26 ? 120次 阅读
美光即将量产第四代3D NAND存储器 层数达到128层

固态硬盘和机械硬盘,二者如何搭配效果最好

随着大家对于电脑的心梗要求越来越高,许多人在配置电脑的时候都会开始首选固态硬盘,因为在读取速度上,固....
发表于 04-02 11:22 ? 440次 阅读
固态硬盘和机械硬盘,二者如何搭配效果最好

兆易创新NOR闪存累计出货量超过100亿颗 将推动研发24nm工艺NAND技术

在NAND闪存市场,SAMSUNG、东芝、西数、SK海力士、美光、Intel等企业掌握了全球90%以上的产能,....
的头像 工程师邓生 发表于 04-02 08:54 ? 315次 阅读
兆易创新NOR闪存累计出货量超过100亿颗 将推动研发24nm工艺NAND技术

闪存的接口协议的先容和不同协议之间有什么区别

首先,闪存是分为很多标准的。其中,以英特尔、美光、海力士为首的NAND厂商所主打制定的闪存接口标准为....
发表于 04-02 08:00 ? 30次 阅读
闪存的接口协议的先容和不同协议之间有什么区别

加密狗存储功能显著,高端制造业领域大显身手

工业自动化设备中很多需要对操作系统及App进行加密,就以半导体行业来说,无尘净化间中很多设备都是进口的....
发表于 04-01 19:38 ? 71次 阅读
加密狗存储功能显著,高端制造业领域大显身手

新型存储的挑战与机遇

存储器是现代信息系统的关键组件之一,已经形成了一个主要由DRAM与NAND Flash组成的超过16....
的头像 汽车玩家 发表于 04-01 16:49 ? 395次 阅读
新型存储的挑战与机遇

基于28nm工艺低电压SRAM单元电路设计

在分析传统SRAM存储单元工作原理的基础上,采用VTC蝴蝶曲线,字线电压驱动,位线电压驱动和N曲线方法衡量了其静态噪声容限。...
发表于 04-01 14:32 ? 212次 阅读
基于28nm工艺低电压SRAM单元电路设计

怎么在PIC16F877A中预定义ROM存储器?

嗨,我正在更新我的程序汇编语言(使用MPLAB 8.92 IDE)到C语言使用XC8编译器。现在我在ROM内存中预定义数据库时遇...
发表于 04-01 10:21 ? 25次 阅读
怎么在PIC16F877A中预定义ROM存储器?

具有多种可编程性的易失性存储器数字电位器

EVAL-AD5232SDZ,用于AD5232双通道,256位,非易失性存储器数字电位器的评估板。 AD5232具有多种可编程性,...
发表于 04-01 09:01 ? 106次 阅读
具有多种可编程性的易失性存储器数字电位器

HAL3930具有数字输出接口的杂散场鲁棒三维位置传感器的数据手册

HAL3930是新一代TDK Micronas三维位置传感器的一部分,它解决了杂散场鲁棒二维位置传感....
发表于 04-01 08:00 ? 27次 阅读
HAL3930具有数字输出接口的杂散场鲁棒三维位置传感器的数据手册

允许多种工作模式的AD5254数字电位计

EVAL-AD5254SDZ,用于AD5254四通道,256位,非易失性存储器数字电位器的评估板。 AD5254具...
发表于 04-01 06:21 ? 184次 阅读
允许多种工作模式的AD5254数字电位计

NAND闪存需求萎缩 韩半导体制造业呈下降趋势

韩联社消息,自去年第四季度以来,作为忠北经济中心的半导体制造业已逐渐摆脱衰退,但据最新预测,这种改善....
的头像 汽车玩家 发表于 03-31 16:04 ? 361次 阅读
NAND闪存需求萎缩 韩半导体制造业呈下降趋势

对于固态硬盘一些常见故障的解决办法

亲们使用HDD\HHD时,是不是常常会遇到硬盘故障问题,这时硬盘一般会发出异样的声音,提示亲们,硬盘....
的头像 独爱72H 发表于 03-30 22:24 ? 562次 阅读
对于固态硬盘一些常见故障的解决办法

手机运行内存真的越大越好吗?别再花没必要的冤枉钱了

随着科技的发展,智能手机基本上已经达到人手一部,手机内存也随着人们的需求,设计的越来越大,现在很多人....
发表于 03-30 11:34 ? 233次 阅读
手机运行内存真的越大越好吗?别再花没必要的冤枉钱了

美光科技宣布旗下第二代高带宽存储器即将开始出货 指定每堆8个裸晶及每针传输速度上至2 GT/s的标准

在最新财报中,美光科技(Micron Technologies)宣布旗下第二代高带宽存储器(HBM2....
发表于 03-30 10:25 ? 147次 阅读
美光科技宣布旗下第二代高带宽存储器即将开始出货 指定每堆8个裸晶及每针传输速度上至2 GT/s的标准

XC32保留程序存储器

嗨,我预订了一个闪存(程序)内存页来允许我的应用程序存储配置(它也可以与引导加载程序共享)——这工作得很好,但是内存保留...
发表于 03-30 08:50 ? 20次 阅读
XC32保留程序存储器

国网芯边缘计算核心板的用户手册详细说明

“国网芯”边缘计算核心板是智芯企业针对泛在电力物联网多种场景应用的定制化产品,是各种电力智能业务终端....
发表于 03-30 08:00 ? 74次 阅读
国网芯边缘计算核心板的用户手册详细说明

韩国半导体产业受疫情影响,SAMSUNG等厂商存储器价格上涨

集微网消息,据韩联社报道,由于新冠肺炎疫情的影响,韩国的新萄京产业在第一季度受到了极大的影响,但是半导....
的头像 汽车玩家 发表于 03-29 20:21 ? 704次 阅读
韩国半导体产业受疫情影响,SAMSUNG等厂商存储器价格上涨

NAND闪存芯片价格持续上涨,到Q3季度会有所转变

SSD的价格最近这段时间一直都是在增长,虽然涨势很缓慢,但这个趋势还将要持续一段时间,预计今年第三季....
的头像 牵手一起梦 发表于 03-29 17:17 ? 385次 阅读
NAND闪存芯片价格持续上涨,到Q3季度会有所转变

SAMSUNG将EUV技术应用于新型DRAM产品中,并实现量产

韩国SAMSUNG新萄京于25日宣布,已经成功出货100 万个极紫外光刻技术(EUV)生产的业界首款10nm级D....
的头像 牵手一起梦 发表于 03-29 14:39 ? 524次 阅读
SAMSUNG将EUV技术应用于新型DRAM产品中,并实现量产

Greenliant发布工业级 ArmourDrive M.2 SSD 新品

ArmourDrive 88PX 系列 NVMe M.2-2280 / PCIe 3.0 x4 SS....
发表于 03-28 11:02 ? 191次 阅读
Greenliant发布工业级 ArmourDrive M.2 SSD 新品

SSD价格上涨仍将持续 预计今年下半年将会有所转变

SSD的价格最近这段时间一直都是在增长,虽然涨势很缓慢,但这个趋势还将要持续一段时间,预计今年第三季....
的头像 工程师邓生 发表于 03-28 09:36 ? 875次 阅读
SSD价格上涨仍将持续 预计今年下半年将会有所转变

存储器的选片及总线的概念

存储器的选片及总线的概念 存储器的送入每个单元的八根线是用从什么地方来的呢? 它就是从计算机上接过来....
发表于 03-27 16:28 ? 66次 阅读
存储器的选片及总线的概念

兆易创新积极布局DRAM领域 将实现国内存储芯片设计企业在DRAM领域的突破

3月26日晚间,兆易创新发布2019年年度财报,企业实现营业收入32.03亿元,比2018年同期增长....
的头像 半导体动态 发表于 03-27 15:52 ? 415次 阅读
兆易创新积极布局DRAM领域 将实现国内存储芯片设计企业在DRAM领域的突破

通富微电苏通二期工程建设进入安装调试阶段

据掌上南通消息,3月26日,首台Datacon 8800 FC倒装机进入南通通富微电苏通厂二期工程主....
的头像 汽车玩家 发表于 03-27 15:32 ? 408次 阅读
通富微电苏通二期工程建设进入安装调试阶段

美光科技发布2020年Q2季财报,出货量较上一财年同期提升超过20%

3月27日消息,据国外国媒体体报道,存储产品和存储解决方案供应商美光科技已发布了2020财年第二财季的财....
的头像 牵手一起梦 发表于 03-27 13:41 ? 306次 阅读
美光科技发布2020年Q2季财报,出货量较上一财年同期提升超过20%

美光科技发布2020财年第二财季财报 疫情或带动DRAM平均售价

北京时间3月26日,美光科技发布2020财年第二财季财报。报告显示,企业第二财季营收47.97亿美金....
的头像 工程师邓生 发表于 03-27 09:39 ? 454次 阅读
美光科技发布2020财年第二财季财报 疫情或带动DRAM平均售价

多级存储器与模拟内存内计算完美融合,人工智能边缘处理难题迎刃而解

在数字神经网络中,权重和输入数据存储在DRAM/SRAM中。权重和输入数据需要移至某个MAC引擎旁以....
发表于 03-26 16:15 ? 404次 阅读
多级存储器与模拟内存内计算完美融合,人工智能边缘处理难题迎刃而解

新型光电传感存储器让人工视觉系统更加智能

中科院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心科研人员与国内多家单位合作,提出了一种基于铝纳米晶浮栅的碳纳....
发表于 03-26 10:36 ? 157次 阅读
新型光电传感存储器让人工视觉系统更加智能

全球疫情爆发 对存储芯片行业影响几何?

3月24日,湖北省新型冠状病毒感染肺炎疫情防控指挥部发布通告,宣布从3月25日零时起,武汉市以外地区....
的头像 半导体动态 发表于 03-26 09:03 ? 922次 阅读
全球疫情爆发 对存储芯片行业影响几何?

出货100万 SAMSUNG业界首款EUV DRAM推出

SAMSUNG新萄京(Samsung Electronics)今天宣布,已经出货100万业界首款10nm EUV....
的头像 汽车玩家 发表于 03-25 16:53 ? 390次 阅读
出货100万 SAMSUNG业界首款EUV DRAM推出

SAMSUNGEUV技术成功应用于DRAM生产

据ZDnet报道,SAMSUNG宣布,已成功将EUV技术应用于DRAM的生产中。
的头像 汽车玩家 发表于 03-25 16:24 ? 499次 阅读
SAMSUNGEUV技术成功应用于DRAM生产

5G助推NAND FLASH发展

据分析机构最新数据,因数据中心对市场产生的带动作用影响,2019年第四季度的NAND Flash的总....
发表于 03-25 16:12 ? 39次 阅读
5G助推NAND FLASH发展

SRAM芯片is62wv51216概况

ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM,组织为5....
发表于 03-25 15:44 ? 113次 阅读
SRAM芯片is62wv51216概况

SAMSUNG率先将EUV用于DRAM内存颗粒生产中,预计12英寸晶圆生产率翻番

这家韩国巨头今日宣布,已经出货100万第一代10nm EUV级(D1x)DDR4 DRAM模组,并完....
的头像 牵手一起梦 发表于 03-25 15:33 ? 566次 阅读
SAMSUNG率先将EUV用于DRAM内存颗粒生产中,预计12英寸晶圆生产率翻番

Spartan-3E起动套件板的用户指南资料免费下载

Spartan-3E入门实验板使设计人员能够即时利用Spartan-3E系列的完整平台性能。
发表于 03-25 14:04 ? 55次 阅读
Spartan-3E起动套件板的用户指南资料免费下载

Spartan6硬核MCB读写DDR2的实战篇详细资料说明

如今的存储器工艺、性能发展之快真是让人岑木结舌,但是随之而来的控制复杂度也大大增加,对于PCB 设计....
发表于 03-25 14:02 ? 62次 阅读
Spartan6硬核MCB读写DDR2的实战篇详细资料说明

未来式的存储器会是怎样的

ReRAM对神经形态计算的适用性与忆阻器根据施加电压的历史改变其状态的能力有关。
发表于 03-25 08:59 ? 188次 阅读
未来式的存储器会是怎样的

大家身边哪些东西里面有存储器

存储器是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。
发表于 03-25 08:56 ? 102次 阅读
大家身边哪些东西里面有存储器

存储器的工作原理是怎么样的

存储器就是用来存放数据的地方。它是利用电平的高低来存放数据的,也就是说,它存放的实际上是电平的高、低
发表于 03-25 08:50 ? 138次 阅读
存储器的工作原理是怎么样的

内存产业以怎么样的趋势发展

在过去的几年中,存储器市场一跃成为半导体行业中市值最大的板块,它不仅主导了半导体行业头把交椅的更替,....
发表于 03-25 08:47 ? 101次 阅读
内存产业以怎么样的趋势发展

MELSEC-L CPU模块的功能讲解和程序基础用户手册

本手册是用于让用户了解使用 LCPU 时必要的 CPU 模块的存储器映射、功能、编程、软元件等的手册....
发表于 03-25 08:00 ? 53次 阅读
MELSEC-L CPU模块的功能讲解和程序基础用户手册

DSPIC33EP256MU806的闪存编程

我想在闪存程序存储器中存储ABC〔400〕〔256〕的2D阵列,以存储噪声产生的随机值。我的设备容量为87296字。问题我只能使用34...
发表于 03-24 08:38 ? 28次 阅读
DSPIC33EP256MU806的闪存编程

信号处理器TMS320VC5416的存储容量有限怎么解决?

随着科学研究对图像采集的要求日益提高,对号码图像采集系统的存储量、速度都提出了越来越高的技术要求。为了实现号码图像的自动...
发表于 03-24 06:04 ? 78次 阅读
信号处理器TMS320VC5416的存储容量有限怎么解决?

疫情将带给DRAM怎样的风险和机遇

2020年1—2月,DRAM价格止跌回暖,各研究及证券机构普遍看涨DRAM第一季度、第二季度价格。从....
的头像 半导体动态 发表于 03-23 16:30 ? 399次 阅读
疫情将带给DRAM怎样的风险和机遇

存储器的涨价会是拐点吗

向来在全球获取高额利润的半导体产业也受到了新冠疫情全球蔓延的波及,尤其是半导体消费端的波动,负面影响....
的头像 汽车玩家 发表于 03-23 15:12 ? 380次 阅读
存储器的涨价会是拐点吗

铠侠与西数推出面向智能手机的UFS 3.1存储器

距离JEDEC正式发布UFS 3.1规范还不到一个月,铠侠(Kioxia)和西部数据(WD)就已经推....
发表于 03-23 13:43 ? 115次 阅读
铠侠与西数推出面向智能手机的UFS 3.1存储器

获得400kHz时钟的最佳方法是什么?

你好, 我正在使用vivado 2014.4。 我将在zc706板上与200MHz的eMMC存储器连接,并带有DDR信号。 我在高速数字设计方面...
发表于 03-23 06:45 ? 31次 阅读
获得400kHz时钟的最佳方法是什么?

请问单片机为什么能存储数据?

接触单片机块三年时间了,编程我也编过,调试我也调试过,心里一直有一个疑问:为什么单片机可以存储数据?   请各位...
发表于 03-23 05:56 ? 42次 阅读
请问单片机为什么能存储数据?

哪一种存储技术是时代下的明星

 随着移动设备、物联网应用的兴起,对于节能的资料储存与存储技术需求日益增加。
发表于 03-22 20:00 ? 233次 阅读
哪一种存储技术是时代下的明星

LE2416RLBXA EEPROM存储器 2线 串行接口 16 kbits(2k x 8位)

RLBXA是一款2线串行接口EEPROM。它结合了大家企业的高性能CMOS EEPROM技术,实现了高速和高可靠性。该器件与I 2 C存储器协议兼容;因此,它最适合需要小规模可重写非易失性参数存储器的应用程序。 特性 优势 单电源电压:1.7V至3.6V(读取) 低功耗 擦除/写入周期:10 5 周期(页面写入) 高可靠性 容量:16k位(2k x 8位) 工作温度:-40至+ 85°C 接口:双线串行接口(I 2 C总线) 工作时钟频率:400kHz 低功耗:待机: 2μA( max)有效(读取):0.5mA(最大值) 自动页面写入模式:16字节 阅读模式:顺序阅读和随机阅读 数据保留期:20年 上拉电阻:WP引脚上带有内置上拉电阻的5kΩ(典型值) 高可靠性 应用 手机相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:23 ? 52次 阅读
LE2416RLBXA EEPROM存储器 2线 串行接口 16 kbits(2k x 8位)

TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 通道、16 位 PWM LED 驱动器

信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌电流驱动器,适用于占空比为 1 至 32 的多路复用系统。 每个通道都具有单独可调的 65536 步长脉宽调制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位显示存储器以提升视觉刷新率,同时降低 GS 数据写入频率。输出通道分为三组,每组含 16 个通道。 各组都具有 512 步长颜色亮度控制 (CC) 功能。 全部 48 通道的最大电流值可通过 8 步长全局亮度控制 (BC) 功能设置。 CC 和 BC 可用于调节 LED 驱动器之间的亮度偏差。 可通过一个串行接口端口访问 GS、CC 和 BC 数据。如需应用手册:,请通过新萄京邮件发送请求。TLC5958 有一个错误标志:LED 开路检测 (LOD),可通过串行接口端口读取。 TLC5958 还具有节电模式,可在全部输出关闭后将总流耗设为 0.8mA(典型值)。特性 48 通道恒流灌电流输出具有最大亮度控制 (BC)/最大颜色亮度控制 (CC) 数据的灌电流: 5VCC 时为 25mA 3.3VCC 时为 20mA 全局亮度控制 (BC):3 位(8 步长) 每个颜色组的颜色亮度控制 (CC):9 位(512 步长),三组使用多路复用增强型光谱 (ES) PWM 进行灰度 (GS) 控制:16 位 支撑 32 路多路复用的 48K 位灰度数据...
发表于 04-18 20:08 ? 217次 阅读
TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 通道、16 位 PWM LED 驱动器

TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP? Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-?F (2 × 10 ?F) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...
发表于 04-18 20:05 ? 72次 阅读
TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ? VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸取电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支撑具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支撑、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支撑采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支撑的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支撑 DDR 内存...
发表于 04-18 20:05 ? 63次 阅读
TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

信息描述 TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2? 模式,此模式在无需外部补偿电路的情况下可支撑陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支撑灵活功率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。 它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压控制器 (VDDQ)转换电压范围:3V 至 28V输出...
发表于 04-18 20:05 ? 109次 阅读
TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP? mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
发表于 04-18 20:05 ? 154次 阅读
TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I?C接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I?C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为?40°C至+125°C扩展...
发表于 04-18 19:35 ? 20次 阅读
AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I?C接口和50-TP存储器

AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为?40°C至+125°C扩展工业...
发表于 04-18 19:35 ? 18次 阅读
AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:?55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支撑±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...
发表于 04-18 19:31 ? 28次 阅读
AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI企业的digiPOT+? 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...
发表于 04-18 19:31 ? 22次 阅读
AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 ?s EEMEM重写时间:540 ?s(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的新萄京调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 ? 40次 阅读
AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 ?s EEMEM重写时间:540 ?s(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的新萄京调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 ? 40次 阅读
AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的新萄京调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过实行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...
发表于 04-18 19:29 ? 109次 阅读
AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的新萄京调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过实行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...
发表于 04-18 19:29 ? 112次 阅读
AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的新萄京调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI?-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支撑多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...
发表于 04-18 19:28 ? 130次 阅读
AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 ?s(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI?兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的新萄京调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...
发表于 04-18 19:28 ? 122次 阅读
AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支撑串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有App和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和App保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0& 1,1) 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此设备无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 ? 104次 阅读
CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支撑串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有App和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和App保护 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度范围 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及符合RoHS标准 应用 汽车系统 Communica tions Systems 计算机系统 消费者系统 工业系统 ...
发表于 04-18 19:13 ? 68次 阅读
CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支撑串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有App和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和App保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 ? 76次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI

60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支撑串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有App和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自定时写周期 硬件和App保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业温度范围 符合RoHS标准的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFNApp包 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 ? 106次 阅读
CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI
XML 地图 | Sitemap 地图